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Stm, joint venture da 3,2 miliardi con Sanan in Cina

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Ultimo aggiornamento 7 Giugno, 2023, 22:08:54 di Maurizio Barra

(ANSA) – MILANO, 07 GIU – Stm e Sanan Optoelectronics, hanno
siglato una joint venture nei semiconduttori al carburo di
silicio (sic) con la costruzione in Cina di una maxi impianto a
Chongqing che dovrebbe iniziare la produzione nel quarto
trimestre del 2025 ed essere completato per il 2028. In
parallelo Sanan costruirà e gestirà separatamente un nuovo
impianto di produzione di substrati in sic da 200 mm per
soddisfare le esigenze della joint venture. La joint venture
per la cui realizzazione è previsto un impegno totale di 3,2
miliardi di dollari, produrrà dispositivi sic esclusivamente
per Stmicroelectronics.
“La Cina si sta muovendo rapidamente verso l’elettrificazione
nel settore automotive e industrial e questo è un mercato in
cui St è già bene consolidata con molti programmi in corso
con i nostri clienti. La creazione di una foundry dedicata con
un partner locale chiave è il modo più efficiente per
soddisfare la crescente domanda dei nostri clienti cinesi”, ha
spiegato Jean-Marc Chery, presidente e ceo del groppo
italo-francese di seminconduttori. “Questa iniziativa è
coerente con l’ambizione di ST di ricavi per 20 miliardi e
oltre di dollari nel 2025- 2027 e con il relativo piano
finanziario, precedentemente comunicato ai mercati”, ha
aggiunto. (ANSA).
   

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